IRLR7821TRPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的开关应用场景。典型用途包括开关电源、电池供电设备、电机驱动模块及各类需要快速开关响应和良好热性能的电子系统。
