FDMC7692S-F126-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其参数组合适用于中等功率的开关应用场景，能够在保持较低导通损耗的同时，支持较高的电流负载。器件适合用于电源模块、电动工具控制电路及各类高效能电子系统中，为高密度电路设计提供可靠的开关性能与热稳定性。
