FDMS0348-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在导通状态下具有低至5.7毫欧的导通电阻（RDS(on)）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于对电流承载能力和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关特性与导通性能之间的平衡，适合在紧凑型高密度电路中使用。
