NTD4960NT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为5毫欧。其低RDS(ON)特性可有效降低导通损耗，在高电流开关应用中维持较低功耗与温升。适用于电源管理、直流-直流转换器、电机驱动及各类需要高效能功率开关的电子系统，能够支持频繁开关操作并保持良好的热稳定性。
