DMG8880LK3-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低导通损耗，提升整体能效。器件适用于开关电源、电机驱动、电池保护及高密度功率转换等应用场合，在高频开关操作中表现出良好的动态特性和热稳定性，适合对效率和空间有较高要求的电子系统。
