NVMFS5C673NLWFT1G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至8mΩ，在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。器件采用标准封装，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源转换、电机驱动及开关电源等应用场合。其低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体能效，同时具备良好的开关特性，适合高频操作环境。
