PJD55N03_L2_00001_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持80A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为5毫欧。其低RDS(ON)有助于在高电流工作条件下有效抑制导通损耗，提升能效表现。适用于对功率处理能力和热稳定性要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关电路等场合。器件结构设计使其在持续大电流或频繁开关的应用中保持良好的电气性能和可靠性。
