BSZ050N03MSGATMA1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的开关应用场景。器件在高频开关条件下仍能保持良好的性能稳定性，适合用于电源转换模块、电池管理系统以及各类需要高效能功率控制的电子设备中。
