SPD50N03S2-07-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。较低的导通电阻有助于在高电流工作条件下有效抑制功率损耗，提升系统能效。其电气特性适合用于对效率和热管理有要求的开关电源、电池管理系统及各类高频率功率转换电路中，能够支持稳定可靠的开关操作与能量传输。
