RBR5LAM40ATR-HXY_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:5A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压为40V。其正向压降低至0.55V，有助于减少导通损耗，提升系统效率；反向漏电流为500μA，在正常工作条件下保持较低的静态功耗。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
