SDT20B100CT-HXY_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）达200A。共阴极结构适用于需要双路整流或同步输出的电路拓扑，较低的VF有助于降低导通损耗，提升系统效率，而较高的IFSM能力可有效应对启动或瞬态过程中的电流冲击，适合用于高效率电源、适配器及各类对可靠性要求较高的电子设备中。
