DMT34M5LFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源管理场景。器件结构支持高电流承载能力，在开关电源、电池管理系统及各类高效能电子设备中可实现稳定可靠的开关操作。
