MBR10200FCT-BP-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:200V 参数3：VF:1.2V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定平均正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在导通状态具备较低的功率损耗；反向漏电流（IR）不超过100μA，展现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高效整流及高瞬态电流耐受能力的电源转换与续流保护电路。
