NTD4806NT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为80A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为5毫欧。在高电流工作条件下，低导通电阻有助于显著降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器及各类高效能电子设备中的功率管理模块，能够在紧凑电路布局中实现稳定可靠的开关性能。
