NTD4905NT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备100A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻仅为3.8毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低导通损耗，在大电流开关应用中维持较低温升。适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动及各类高功率密度的电子设备中，能够支持频繁开关操作并保持稳定性能。
