NTTFS4929NTWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。其电气特性适合在中等功率场景下实现高效开关操作，适用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路以及各类需要低导通损耗的电子装置。器件在保持较低热阻的同时，支持紧凑型电路布局，有助于提升整体能效与运行稳定性。
