AON7702_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5mΩ。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率并改善热表现。适用于对效率和紧凑布局有要求的电源管理电路，如直流-直流转换器、负载开关及同步整流等应用，在高频或大电流工作条件下可维持稳定可靠的运行特性。
