DMN3011LFVWQ-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及开关电路等场景。其低阻抗特性有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，同时N沟道结构便于实现高效的高侧或低侧开关配置。
