DMG7430LFGQ-13_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧。凭借较低的RDS(ON)，器件在导通状态下功耗较小，有助于提升整体电路效率。适用于对功率密度和热性能有一定要求的电源管理、直流-直流转换以及负载开关等应用场合。其电气特性适合在频繁开关或持续中高电流条件下稳定工作，满足多种电子系统对高效能开关元件的需求。
