FDMC7692_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，适用于对能效和热管理有要求的电源转换应用，如开关电源、电池供电设备中的功率开关及负载控制电路。在高频工作条件下，器件仍能维持良好的效率与稳定性。
