DMT3009LFVWQ-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为45A，最大漏源电压为30V，导通电阻为6毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。器件在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换场合。其电气参数组合使其适合用于开关频率较高的电路中，能够有效支持负载切换与功率调节功能，满足多种电子系统对可靠功率控制的需求。
