NVTFS4C13NWFETWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。在常规开关和功率转换应用中，其较低的导通电阻有助于降低功耗并提升系统效率。适用于需要高电流承载能力和稳定开关性能的电源模块、电池管理系统及各类高效能电子设备中的功率控制环节。器件在高频操作下仍能保持良好的热特性和电气稳定性。
