FDMC8026S-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4毫欧。低导通电阻有助于在大电流应用中显著降低功率损耗与发热，提升系统整体效率。适用于高频率开关电源、电池供电设备、电机控制及各类需要高效能功率转换的电子系统，能够稳定支持持续高负载运行与快速开关操作。
