FDMC7692S_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，在中等功率应用中提供良好的能效表现。适用于电源转换、电池管理系统、电机驱动及高频开关电路等场景，能够在紧凑布局下维持稳定的电气特性和热性能。
