RQ3E180BNTB_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.9毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对电流承载能力和功率密度要求较高的电源管理场景。器件采用标准封装形式，便于在高频率开关应用中实现稳定可靠的性能表现，可广泛用于各类电子设备中的功率转换与控制电路。
