ISC052N03LF2SATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.3毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场合。器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能和稳定性，适合对能效和空间布局有较高要求的电子系统。
