RJK0394DPA-00#J5A-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在栅源电压为20V时导通电阻低至4.3毫欧。器件采用标准增强型结构，适用于对导通损耗和开关效率要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于高频开关电路、直流-直流转换器以及各类电子负载控制应用中。
