BSC097N06NSATMA1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效抑制功率损耗与温升，适用于高效率电源管理、电机控制及高频开关应用。器件结构支持稳定可靠的开关性能，适合对能效和热管理有较高要求的电子系统。
