CSD17551Q3A-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低导通损耗，提升整体能效。适用于电源管理、电机控制、电池供电设备及各类开关模式电源等应用场合。N沟道结构便于实现高效的开关操作，在紧凑型电路设计中可有效支持热性能与功率密度的优化。
