V10P20-M3/86A-HXY_TO-277_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-277 类别:肖特基二极管 最小包装:5000/圆盘 参数1:IF:10A 参数2:VR:200V 参数3:VF:0.9V 参数4:IR:150uA 标价:欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置,具有10A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。其正向压降(VF)典型值为0.9V,在导通状态下能有效降低功耗。反向漏电流(IR)在额定条件下为150μA,表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的正向浪涌电流(IFSM),适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流与高频开关场合。
