AON7402_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。较低的导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗，提升整体能效。其电气特性适用于需要高效开关性能和良好热稳定性的场合，如电源转换模块、电机控制电路及各类高频率开关应用。器件在紧凑布局中仍可维持可靠运行，适合对空间和效率有要求的电子系统。
