IRLR8103VTRPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗，适用于电源管理、电机控制及各类高效开关电路。器件在持续大电流工作时仍能维持较低的温升，有利于提升系统整体效率与长期运行的稳定性。
