IRFH7190TRPBF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。其低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率运行的电源转换、电机驱动及高效能电力电子设备中。器件在大电流负载下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，满足对功率密度与可靠性要求较高的应用场景。
