ISZ056N03LF2SATMA1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及最大20V的栅源驱动电压（VGS）。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，同时30V的耐压等级适配多种中低压应用场景。该器件适用于开关电源、便携式储能设备、电机驱动及各类高效率功率转换系统，能够在高频开关条件下保持良好的热稳定性和电气性能。
