MCAC45N10Y-TP_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。其参数组合适用于中高功率的开关应用，在保证电压耐受能力的同时，提供较低的导通损耗。器件适合用于电源转换系统、电机驱动电路以及需要频繁开关操作的电子设备中，能够在紧凑的电路布局下维持良好的热稳定性和运行效率。
