MCAC9D6N06YL-TP_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为60V，导通电阻低至8毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构支持快速开关特性，在高负载条件下仍能保持稳定工作，适合用于各类高效能电子设备中的功率管理与控制模块。
