NTD4959NHT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）可达60A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为7毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于高效电源转换、大功率负载开关以及对能效和紧凑布局有较高要求的电子系统中，能够支持稳定的高频开关操作。
