AON7556_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9mΩ，在标准工作条件下可有效控制导通损耗。适用于中等功率的电源管理、负载开关、电机驱动及高频DC-DC转换等电路场景，其电气特性有助于维持系统运行的稳定性与效率，同时对热设计提出较低要求。
