BSC886N03LSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。器件适用于对功率密度和效率有较高要求的电源转换与开关应用，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力与较低的热阻特性，可在紧凑布局中稳定运行，适合用于各类高频率、高效率的电子电路设计。
