SQ2348ES-T1_BE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。其适中的电流能力和较低的导通损耗，使其适用于中等功率的开关应用，如电源管理模块、负载开关及小型电机驱动等场景。器件在30V工作电压下保持稳定性能，适合对体积和效率有一定要求的电子设备，可有效支持紧凑型电路设计中的高效能需求。
