FDMS7680-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻仅为5.7毫欧，适用于高效率、大电流的开关应用。其低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统能效，适合用于电源转换、电机控制及高频开关电路等场合。器件在保持低热阻的同时，支持高密度布局，满足对空间和散热有严苛要求的电子设计需求。
