DMS3012SFG-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为35A，漏源电压（VDSS）额定值为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。在中等电流应用场景下，其较低的导通电阻有助于有效控制导通损耗，维持器件温升在合理范围内。适用于开关电源、便携式设备供电系统、电机驱动及各类需要高效功率开关功能的电子装置，能够支持稳定可靠的高频开关操作。
