NVTFS4823NWFTWG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧，适用于中等功率的开关应用。其较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，在电源转换、电机控制及高频开关电路中可实现稳定运行。器件支持高效热管理，适合对体积和效率有要求的电子系统。
