DMT3009LFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备45A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6毫欧，栅源电压额定值为20V。其低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。器件适用于需要高效功率开关的场合，如电源转换、负载控制及电池供电设备中的功率路径管理，能够在高频率或大电流工作条件下保持稳定性能。
