FDMS0355S-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID），最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(on)）低至4.3毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时实现优化导通性能。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场合。器件在紧凑型电路设计中可提供良好的热稳定性和电气特性，适合对能效和空间有较高要求的电子系统。
