DMS3012SFG-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。在导通状态下，其低阻特性可有效降低功率损耗，适用于高效率电源管理、直流-直流转换器及便携式电子设备中的开关电路。由于具有较高的电流承载能力和较低的导通压降，该器件能够在紧凑布局中稳定运行，适合对热性能和能效有较高要求的应用场景。
