DMG7702SFG-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET额定漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧，在低电压应用中可有效降低导通损耗。器件适用于对效率和热性能有要求的电源管理场合，如开关电源、负载开关及便携式设备的功率控制模块。其参数组合兼顾电流承载能力与导通特性，适合在紧凑型电路设计中实现高效能量传输。
