AMR430N-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧，可承载高达60A的连续漏极电流（ID）。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的电源转换与配电系统。器件在高频开关条件下仍能维持良好的动态特性，适合用于对热管理和空间布局要求严苛的电子设备中，如服务器电源、便携式储能装置及高性能计算平台的供电模块。
