DMN3009SFG-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.5毫欧。低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗，提升系统效率。其电气特性适用于需要高效能开关操作的场合，例如电源转换模块、电池管理系统及各类高频率开关电路。器件在导通与关断状态间的切换响应迅速，适合对动态性能和热稳定性有明确要求的应用环境。
