NTTFS4823NTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流，漏源击穿电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，在高频率开关应用中表现出良好的能效特性。适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换、同步整流及负载开关等电路，能够在紧凑布局下维持稳定工作性能。
